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Confronta G.Skill 16GB (2x8GB) Aegis DDR3 1600MHz vs PNY XLR8 16GB (2x8GB) 1600MHz DDR3

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G.Skill 16GB (2x8GB) Aegis DDR3 1600MHz e PNY XLR8 16GB (2x8GB) 1600MHz DDR3 sono entrambi memorie con lo stesso Frequenza (DDR3-1600 MHz) e Dimensioni (16GB (2 x 8GB)). Le principali differenze sono in Latenza CAS, Latenza First Word e Voltaggio.
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Prezzi
(Cambia regione)
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- 85
Brand
G.Skill
Brand
PNY
Modello
F3-1600C11D-16GISL
Modello
MD16384KD3-1600-X9
Disponibile da
-
Disponibile da
-
* Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.
Recensioni utenti
★★★★★
(21 recensioni)
Recensioni utenti
★★★★☆
(165 recensioni)
Storico prezzi
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Prezzo/GB
-
Prezzo/GB
-
GB/€1
-
GB/€1
-
Samsung B-Die
No
Samsung B-Die
No
Componenti compatibili
Componenti compatibili
Tipo
240-pin DDR3 DIMM
Tipo
240-pin DDR3 DIMM
Frequenza
DDR3-1600 MHz
Frequenza
DDR3-1600 MHz
Dimensioni
16GB (2 x 8GB)
Dimensioni
16GB (2 x 8GB)
Latenza CAS
11
Latenza CAS
9
Timing
11-11-11-28
Timing
-
Latenza First Word
13,75 ns
Latenza First Word
11,25 ns
Voltaggio
1,35 V
Voltaggio
1,5 V
Dissipatore
Dissipatore
Supporto ECC
No
Supporto ECC
No
- -

Sintesi del confronto e principali differenze

Ragioni per comprare G.Skill 16GB (2x8GB) Aegis DDR3 1600MHz:

  • Minore voltaggio richiesto (-0,15 V necessario)

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Ragioni per comprare PNY XLR8 16GB (2x8GB) 1600MHz DDR3:

  • Minore latenza CAS (-2)
  • Migliore latenza first word (-2,50 ns)

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