Kingston 8GB 204-Pin DDR3 SO-DIMM 1600 RAM

Name: Kingston 8GB 204-Pin DDR3 SO-DIMM 1600
Brand: Kingston
SKU: KVR16LS11/8
Rating: 5.0 (21 reviews)

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Kingston 8GB 204-Pin DDR3 SO-DIMM 1600 (PC3L 12800) KVR16LS11/8

★★★★★

(21 recensioni)

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Ultimo aggiornamento 15 minuti fa.
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Kingston 8GB 204-Pin DDR3 SO-DIMM DDR3L 1600 (PC3L 12800) Laptop Memory Model KVR16LS11/8 CAS Latency: 11 Voltage: 1.35V Buffered/Registered: Unbuffered Features: JEDEC standard 1.35V (1.28V ~ 1.45V) and 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) and 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 800 MHz fCK for 1600 Mb/sec/pin 8 independent internal banks Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6 Programmable Additive Latency: 0, CL-2, or CL-1 clock 8-bit pre-fetch Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address '000' only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS] Bi-directional Differential Data Strobe Internal(self) calibration: Internal self calibration through ZQ pin (RZQ: 240 ohm +/- 1%) On Die Termination using ODT pin Asynchronous Reset PCB: Height 1.18' (30mm), double sided component

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Scheda tecnica

Modello	KVR16LS11/8
Tipo	204-pin DDR3 SODIMM
Frequenza	DDR3-1600 MHz
Dimensioni	8GB (1 x 8GB)
Latenza CAS	11
Latenza First Word	13,75 ns
Voltaggio	1,35 V
Dissipatore	No
Supporto ECC	No

	Vecchio Nome	Nome Attuale	Marchio	Velocità dati	Porta
USB 2.0	USB 2.0	USB 2.0	Hi-Speed USB	480 Mbit/s	varie
USB 3.0	USB 3.1 Gen 1	USB 3.2 Gen 1x1	SuperSpeed USB	5 Gbit/s	varie
USB 3.1	USB 3.1 Gen 2	USB 3.2 Gen 2x1	SuperSpeed USB 10Gbps	10 Gbit/s	varie
USB 3.2	USB 3.2 Gen 2x2	USB 4.0 Gen 2x2	USB4 20Gbps	20 Gbit/s	solo USB-C
USB4	USB 4.0 Gen 3x2	USB4 1.0	USB4 40Gbps	40 Gbit/s	solo USB-C
USB4v2	USB 4.0 Gen 4	USB4 2.0	USB4 80Gbps	80-120 Gbit/s	solo USB-C

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

	1066	1333	1600	1866	2000	2133	2400	2666	2800	2933	3000	3100	3200
7	13,13	10,50	8,75	7,50	7,00	6,56	5,83	5,25	5,00	4,77	4,67	4,52	4,38
8	15,01	12,00	10,00	8,57	8,00	7,50	6,67	6,00	5,71	5,46	5,33	5,16	5,00
9	16,89	13,50	11,25	9,65	9,00	8,44	7,50	6,75	6,43	6,14	6,00	5,81	5,63
10	18,76	15,00	12,50	10,72	10,00	9,38	8,33	7,50	7,14	6,82	6,67	6,45	6,25
11	20,64	16,50	13,75	11,79	11,00	10,31	9,17	8,25	7,86	7,50	7,33	7,10	6,88
12	22,51	18,00	15,00	12,86	12,00	11,25	10,00	9,00	8,57	8,18	8,00	7,74	7,50
13	24,39	19,50	16,25	13,93	13,00	12,19	10,83	9,75	9,29	8,86	8,67	8,39	8,13
14	26,27	21,01	17,50	15,01	14,00	13,13	11,67	10,50	10,00	9,55	9,33	9,03	8,75
15	28,14	22,51	18,75	16,08	15,00	14,06	12,50	11,25	10,71	10,23	10,00	9,68	9,38
16	30,02	24,01	20,00	17,15	16,00	15,00	13,33	12,00	11,43	10,91	10,67	10,32	10,00
17	31,89	25,51	21,25	18,22	17,00	15,94	14,17	12,75	12,14	11,59	11,33	10,97	10,63
18	33,77	27,01	22,50	19,29	18,00	16,88	15,00	13,50	12,86	12,27	12,00	11,61	11,25
19	35,65	28,51	23,75	20,36	19,00	17,82	15,83	14,25	13,57	12,96	12,67	12,26	11,88

CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.