Kingston HyperX FURY 8GB (2x4GB) 2666Mhz DDR4 CL15

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Kingston HyperX FURY 8GB (2x4GB) 2666Mhz DDR4 Non-ECC CL15 HX426C15FBK2/8

Kingston HyperX FURY 8GB (2x4GB) 2666Mhz DDR4 Non-ECC CL15 HX426C15FBK2/8

★★★☆☆
(2 recensioni)
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  • 8GB 2666MHz 1.2V, 288-pin DDR4 Non-ECC CL15 DIMM Kit (2x4GB)
  • Plug and play - HyperX Fury DDR4 è la prima linea di prodotti che offre l'overclocking automatico fino alla massima frequenza pubblicata. Goditi velocità che desideri, senza problemi
  • Ottimizzata per i chipset Intel della serie 100 e X99 - La generazione più avanzata della tecnologia DRAM per sistemi con chipset della serie 100 o X99: la memoria HyperX Fury DDR4 è testata al 100% e ottimizzata per garantire compatibilità e facilità di overclocking
  • Consumi energetici ridotti - Il minore assorbimento energetico delle memorie HyperX Fury DDR4 si traduce in minor riscaldamento e maggiore affidabilità. Il consumo ridotto a 1,2V lascia più energia a disposizione del sistema, consentendo di mantenere il PC più fresco e silenzioso
  • Dissipatore di calore dal profilo basso ed elegante - Impreziosisci la tua apparecchiatura con un tocco di stile che la renderà davvero esclusiva, grazie all'inconfondibile profilo asimmetrico del dissipatore Fury. Disponibile con scheda PCB abbinata in nero, la memoria Fury DDR4 è il miglior complemento per qualsiasi scheda madre che monti i chipset Intel della serie 100 o X99

Scheda tecnica

Modello HX426C15FBK2/8
Disponibile da Agosto 2015

* Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.

Tipo 288-pin DDR4 DIMM
Frequenza DDR4-2666 MHz
Dimensioni 8GB (2 x 4GB)
Latenza CAS 15
Latenza First Word 11,25 ns
Voltaggio 1,2 V
Dissipatore
Supporto ECC No

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

2133 2400 2666 2800 2933 3000 3200 3300 3333 3400 3466 3600 3666 3733
13 12,19 10,83 9,75 9,29 8,86 8,67 8,13 7,88 7,80 7,65 7,50 7,22 7,09 6,96
14 13,13 11,67 10,50 10,00 9,55 9,33 8,75 8,48 8,40 8,24 8,08 7,78 7,64 7,50
15 14,06 12,50 11,25 10,71 10,23 10,00 9,38 9,09 9,00 8,82 8,66 8,33 8,18 8,04
16 15,00 13,33 12,00 11,43 10,91 10,67 10,00 9,70 9,60 9,41 9,23 8,89 8,73 8,57
17 15,94 14,17 12,75 12,14 11,59 11,33 10,63 10,30 10,20 10,00 9,81 9,44 9,27 9,11
18 16,88 15,00 13,50 12,86 12,27 12,00 11,25 10,91 10,80 10,59 10,39 10,00 9,82 9,64
19 17,82 15,83 14,25 13,57 12,96 12,67 11,88 11,52 11,40 11,18 10,96 10,56 10,37 10,18
20 18,75 16,67 15,00 14,29 13,64 13,33 12,50 12,12 12,00 11,76 11,54 11,11 10,91 10,72
21 19,69 17,50 15,75 15,00 14,32 14,00 13,13 12,73 12,60 12,35 12,12 11,67 11,46 11,25
22 20,63 18,33 16,50 15,71 15,00 14,67 13,75 13,33 13,20 12,94 12,69 12,22 12,00 11,79
23 21,57 19,17 17,25 16,43 15,68 15,33 14,38 13,94 13,80 13,53 13,27 12,78 12,55 12,32
24 22,50 20,00 18,00 17,14 16,37 16,00 15,00 14,55 14,40 14,12 13,85 13,33 13,09 12,86
25 23,44 20,83 18,75 17,86 17,05 16,67 15,63 15,15 15,00 14,71 14,43 13,89 13,64 13,39
CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.

Descrizione

JEDEC/XMP TIMING PARAMETERS

JEDEC/PnP: DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V

DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V

DDR4-2133 CL12-14-14 @1.2V

XMP Profile #1: DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V

• Power Supply: VDD = 1.2V Typical

• VDDQ = 1.2V Typical

• VPP - 2.5V Typical

• VDDSPD = 2.2V to 3.6V

• Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for

data, strobe, and mask signals

• Low-power auto self refresh (LPASR)

• Data bus inversion (DBI) for data bus

• On-die VREFDQ generation and calibration

• Single-rank

• On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM

• 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each

• Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8

via the mode register set (MRS)

• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)

• Fly-by topology

• Terminated control command and address bus

• Height 1.340” (34.04mm), w/heatsink



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