Kingston HyperX Plug and Play 4GB (2x2GB) 1600MHz DDR3 RAM

Name: Kingston HyperX Plug and Play 4GB (2x2GB) 1600MHz DDR3
Brand: Kingston
SKU: KHX1600C9D3P1K2/4G
Rating: 5.0 (2 reviews)

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Kingston HyperX Plug and Play 4GB (2x2GB) 1600MHz DDR3 CL9 KHX1600C9D3P1K2/4G

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Kingston's KHX1600C9D3P1K2/4G is a kit of two 256M x 64-bit
(2GB) DDR3-1600 CL9 SDRAM (Synchronous DRAM) 1Rx8
memory modules, based on eight 256M x 8-bit DDR3 FBGA
components per module. Total kit capacity is 4GB. Each
module kit has been tested to run at JEDEC DDR3-1600 at a
low latency timing of 9-9-9 at 1.5V. Additional timing parameters
are shown in the PnP Timing Parameters section. Each
240-pin DIMM uses gold contact fingers and requires +1.5V.

Kingston HyperX Plug and Play 4GB (2x2GB) 1600MHz DDR3 image 1

Scheda tecnica

Modello	KHX1600C9D3P1K2/4G
Disponibile da	Giugno 2011 * Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.
Tipo	240-pin DDR3 DIMM
Frequenza	DDR3-1600 MHz
Dimensioni	4GB (2 x 2GB)
Latenza CAS	9
Latenza First Word	11,25 ns
Voltaggio	1,5 V
Dissipatore	Sì
Supporto ECC	No

	Vecchio Nome	Nome Attuale	Marchio	Velocità dati	Porta
USB 2.0	USB 2.0	USB 2.0	Hi-Speed USB	480 Mbit/s	varie
USB 3.0	USB 3.1 Gen 1	USB 3.2 Gen 1x1	SuperSpeed USB	5 Gbit/s	varie
USB 3.1	USB 3.1 Gen 2	USB 3.2 Gen 2x1	SuperSpeed USB 10Gbps	10 Gbit/s	varie
USB 3.2	USB 3.2 Gen 2x2	USB 4.0 Gen 2x2	USB4 20Gbps	20 Gbit/s	solo USB-C
USB4	USB 4.0 Gen 3x2	USB4 1.0	USB4 40Gbps	40 Gbit/s	solo USB-C
USB4v2	USB 4.0 Gen 4	USB4 2.0	USB4 80Gbps	80-120 Gbit/s	solo USB-C

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

	1066	1333	1600	1866	2000	2133	2400	2666	2800	2933	3000	3100	3200
7	13,13	10,50	8,75	7,50	7,00	6,56	5,83	5,25	5,00	4,77	4,67	4,52	4,38
8	15,01	12,00	10,00	8,57	8,00	7,50	6,67	6,00	5,71	5,46	5,33	5,16	5,00
9	16,89	13,50	11,25	9,65	9,00	8,44	7,50	6,75	6,43	6,14	6,00	5,81	5,63
10	18,76	15,00	12,50	10,72	10,00	9,38	8,33	7,50	7,14	6,82	6,67	6,45	6,25
11	20,64	16,50	13,75	11,79	11,00	10,31	9,17	8,25	7,86	7,50	7,33	7,10	6,88
12	22,51	18,00	15,00	12,86	12,00	11,25	10,00	9,00	8,57	8,18	8,00	7,74	7,50
13	24,39	19,50	16,25	13,93	13,00	12,19	10,83	9,75	9,29	8,86	8,67	8,39	8,13
14	26,27	21,01	17,50	15,01	14,00	13,13	11,67	10,50	10,00	9,55	9,33	9,03	8,75
15	28,14	22,51	18,75	16,08	15,00	14,06	12,50	11,25	10,71	10,23	10,00	9,68	9,38
16	30,02	24,01	20,00	17,15	16,00	15,00	13,33	12,00	11,43	10,91	10,67	10,32	10,00
17	31,89	25,51	21,25	18,22	17,00	15,94	14,17	12,75	12,14	11,59	11,33	10,97	10,63
18	33,77	27,01	22,50	19,29	18,00	16,88	15,00	13,50	12,86	12,27	12,00	11,61	11,25
19	35,65	28,51	23,75	20,36	19,00	17,82	15,83	14,25	13,57	12,96	12,67	12,26	11,88

CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.

Descrizione

SPECIFICATIONS

CL(IDD) 9 cycles
Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (min.)
Refresh to Active/Refresh 160ns (min.)
Command Time (tRFCmin)
Row Active Time (tRASmin) 33.75ns (min.)
Power (Operating) TBD* (per module)
UL Rating 94 V - 0
Operating Temperature 0o C to 85o C
Storage Temperature -55o C to +100o C
*Power will vary depending on the SDRAM used.

FEATURES

• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
• 8 independent internal bank
• Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
• Posted CAS
• Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
• Programmable CAS Write Latency(CWL) = 8 (DDR3-1600)
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with
starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not
allow seamless read or write [either on the fly using A12 or
MRS]
• Bi-directional Differential Data Strobe
• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ
pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C,
3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
• Asynchronous Reset
• PCB : Height 1.180” (30.00mm), single sided component