PNY 16GB DDR4 2666MHz 260-pin SODIMM RAM

Name: PNY 16GB DDR4 2666MHz 260-pin SODIMM
Brand: PNY
SKU: MN16GSD42666

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PNY 16GB DDR4 2666MHz 260-pin SODIMM (MN16GSD42666)

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Opzioni (2)

	4GB €13,99
	8GB €104,26

Experience Of Benefits Of A PC Memory Upgrade With The Ability To Run More Demanding Applications Simultaneously, And At Faster Speeds, For A Better, Smoother, Computing Experience
High Performance DDR4 Laptop Memory Designed For PC Enthusiasts And Gamers
Exceptional Performance With A Frequency Speed Of 2666Mhz (PC4-21300), And Backwards Compatible With Lower Frequencies (2400Mhz And 2133Mhz)
Cas Latency Of 19, 1. 2 Volts

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Scheda tecnica

Modello	MN16GSD42666
Disponibile da	Ottobre 2019 * Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.
Tipo	260-pin DDR4 SODIMM
Frequenza	DDR4-2666 MHz
Dimensioni	16GB (1 x 16GB)
Latenza CAS	19
Latenza First Word	14,25 ns
Voltaggio	1,2 V
Dissipatore	No
Supporto ECC	No

	Vecchio Nome	Nome Attuale	Marchio	Velocità dati	Porta
USB 2.0	USB 2.0	USB 2.0	Hi-Speed USB	480 Mbit/s	varie
USB 3.0	USB 3.1 Gen 1	USB 3.2 Gen 1x1	SuperSpeed USB	5 Gbit/s	varie
USB 3.1	USB 3.1 Gen 2	USB 3.2 Gen 2x1	SuperSpeed USB 10Gbps	10 Gbit/s	varie
USB 3.2	USB 3.2 Gen 2x2	USB 4.0 Gen 2x2	USB4 20Gbps	20 Gbit/s	solo USB-C
USB4	USB 4.0 Gen 3x2	USB4 1.0	USB4 40Gbps	40 Gbit/s	solo USB-C
USB4v2	USB 4.0 Gen 4	USB4 2.0	USB4 80Gbps	80-120 Gbit/s	solo USB-C

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

	2133	2400	2666	2800	2933	3000	3200	3300	3333	3400	3466	3600	3666	3733
13	12,19	10,83	9,75	9,29	8,86	8,67	8,13	7,88	7,80	7,65	7,50	7,22	7,09	6,96
14	13,13	11,67	10,50	10,00	9,55	9,33	8,75	8,48	8,40	8,24	8,08	7,78	7,64	7,50
15	14,06	12,50	11,25	10,71	10,23	10,00	9,38	9,09	9,00	8,82	8,66	8,33	8,18	8,04
16	15,00	13,33	12,00	11,43	10,91	10,67	10,00	9,70	9,60	9,41	9,23	8,89	8,73	8,57
17	15,94	14,17	12,75	12,14	11,59	11,33	10,63	10,30	10,20	10,00	9,81	9,44	9,27	9,11
18	16,88	15,00	13,50	12,86	12,27	12,00	11,25	10,91	10,80	10,59	10,39	10,00	9,82	9,64
19	17,82	15,83	14,25	13,57	12,96	12,67	11,88	11,52	11,40	11,18	10,96	10,56	10,37	10,18
20	18,75	16,67	15,00	14,29	13,64	13,33	12,50	12,12	12,00	11,76	11,54	11,11	10,91	10,72
21	19,69	17,50	15,75	15,00	14,32	14,00	13,13	12,73	12,60	12,35	12,12	11,67	11,46	11,25
22	20,63	18,33	16,50	15,71	15,00	14,67	13,75	13,33	13,20	12,94	12,69	12,22	12,00	11,79
23	21,57	19,17	17,25	16,43	15,68	15,33	14,38	13,94	13,80	13,53	13,27	12,78	12,55	12,32
24	22,50	20,00	18,00	17,14	16,37	16,00	15,00	14,55	14,40	14,12	13,85	13,33	13,09	12,86
25	23,44	20,83	18,75	17,86	17,05	16,67	15,63	15,15	15,00	14,71	14,43	13,89	13,64	13,39

CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.