Samsung DDR3-1333 8GB ECC RAM

Name: Samsung DDR3-1333 8GB ECC
Brand: SAMSUNG
SKU: M392B1K70CM0-YH9

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Samsung DDR3-1333 8GB ECC-REG Server M392B1K70CM0-YH9

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Samsung DDR3-1333 8GB ECC-REG Server Memory Model M392B1K70CM0-YH9 CAS Latency: 9 Voltage: 1.50V Rank: 2Rx4

Scheda tecnica

Modello	M392B1K70CM0-YH9
Disponibile da	Marzo 2020 * Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.
Tipo	240-pin DDR3 DIMM
Frequenza	DDR3-1333 MHz
Dimensioni	8GB (1 x 8GB)
Latenza CAS	9
Latenza First Word	13,5 ns
Voltaggio	1,5 V
Dissipatore	No
Supporto ECC	Sì

	Vecchio Nome	Nome Attuale	Marchio	Velocità dati	Porta
USB 2.0	USB 2.0	USB 2.0	Hi-Speed USB	480 Mbit/s	varie
USB 3.0	USB 3.1 Gen 1	USB 3.2 Gen 1x1	SuperSpeed USB	5 Gbit/s	varie
USB 3.1	USB 3.1 Gen 2	USB 3.2 Gen 2x1	SuperSpeed USB 10Gbps	10 Gbit/s	varie
USB 3.2	USB 3.2 Gen 2x2	USB 4.0 Gen 2x2	USB4 20Gbps	20 Gbit/s	solo USB-C
USB4	USB 4.0 Gen 3x2	USB4 1.0	USB4 40Gbps	40 Gbit/s	solo USB-C
USB4v2	USB 4.0 Gen 4	USB4 2.0	USB4 80Gbps	80-120 Gbit/s	solo USB-C

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

	1066	1333	1600	1866	2000	2133	2400	2666	2800	2933	3000	3100	3200
7	13,13	10,50	8,75	7,50	7,00	6,56	5,83	5,25	5,00	4,77	4,67	4,52	4,38
8	15,01	12,00	10,00	8,57	8,00	7,50	6,67	6,00	5,71	5,46	5,33	5,16	5,00
9	16,89	13,50	11,25	9,65	9,00	8,44	7,50	6,75	6,43	6,14	6,00	5,81	5,63
10	18,76	15,00	12,50	10,72	10,00	9,38	8,33	7,50	7,14	6,82	6,67	6,45	6,25
11	20,64	16,50	13,75	11,79	11,00	10,31	9,17	8,25	7,86	7,50	7,33	7,10	6,88
12	22,51	18,00	15,00	12,86	12,00	11,25	10,00	9,00	8,57	8,18	8,00	7,74	7,50
13	24,39	19,50	16,25	13,93	13,00	12,19	10,83	9,75	9,29	8,86	8,67	8,39	8,13
14	26,27	21,01	17,50	15,01	14,00	13,13	11,67	10,50	10,00	9,55	9,33	9,03	8,75
15	28,14	22,51	18,75	16,08	15,00	14,06	12,50	11,25	10,71	10,23	10,00	9,68	9,38
16	30,02	24,01	20,00	17,15	16,00	15,00	13,33	12,00	11,43	10,91	10,67	10,32	10,00
17	31,89	25,51	21,25	18,22	17,00	15,94	14,17	12,75	12,14	11,59	11,33	10,97	10,63
18	33,77	27,01	22,50	19,29	18,00	16,88	15,00	13,50	12,86	12,27	12,00	11,61	11,25
19	35,65	28,51	23,75	20,36	19,00	17,82	15,83	14,25	13,57	12,96	12,67	12,26	11,88

CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.