Team T-FORCE ZEUS 16GB (2 x 8GB) 260-Pin DDR4 SO-DIMM 3200 RAM

Name: Team T-FORCE ZEUS 16GB (2 x 8GB) 260-Pin DDR4 SO-DIMM 3200
Brand: Team
SKU: TTZD416G3200HC22DC-S
Rating: 5.0 (1 reviews)

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Team T-FORCE ZEUS 16GB (2 x 8GB) 260-Pin DDR4 SO-DIMM 3200 (PC4 25600) TTZD416G3200HC22DC-S01

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Team T-FORCE ZEUS 16GB (2 x 8GB) 260-Pin DDR4 SO-DIMM DDR4 3200 (PC4 25600) Laptop Memory Model TTZD416G3200HC22DC-S01 CAS Latency: 22 Timing: 22-22-22-52 Voltage: 1.20V Features: Lightning Bolt design element Born for gaming High quality IC with stable performance Trustworthy compatibility

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Scheda tecnica

Modello	TTZD416G3200HC22DC-S
Tipo	260-pin DDR4 SODIMM
Frequenza	DDR4-3200 MHz
Dimensioni	16GB (2 x 8GB)
Latenza CAS	22
Timing	22-22-22-52
Latenza First Word	13,75 ns
Voltaggio	1,2 V
Dissipatore	No
Supporto ECC	No

	Vecchio Nome	Nome Attuale	Marchio	Velocità dati	Porta
USB 2.0	USB 2.0	USB 2.0	Hi-Speed USB	480 Mbit/s	varie
USB 3.0	USB 3.1 Gen 1	USB 3.2 Gen 1x1	SuperSpeed USB	5 Gbit/s	varie
USB 3.1	USB 3.1 Gen 2	USB 3.2 Gen 2x1	SuperSpeed USB 10Gbps	10 Gbit/s	varie
USB 3.2	USB 3.2 Gen 2x2	USB 4.0 Gen 2x2	USB4 20Gbps	20 Gbit/s	solo USB-C
USB4	USB 4.0 Gen 3x2	USB4 1.0	USB4 40Gbps	40 Gbit/s	solo USB-C
USB4v2	USB 4.0 Gen 4	USB4 2.0	USB4 80Gbps	80-120 Gbit/s	solo USB-C

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

	2133	2400	2666	2800	2933	3000	3200	3300	3333	3400	3466	3600	3666	3733
13	12,19	10,83	9,75	9,29	8,86	8,67	8,13	7,88	7,80	7,65	7,50	7,22	7,09	6,96
14	13,13	11,67	10,50	10,00	9,55	9,33	8,75	8,48	8,40	8,24	8,08	7,78	7,64	7,50
15	14,06	12,50	11,25	10,71	10,23	10,00	9,38	9,09	9,00	8,82	8,66	8,33	8,18	8,04
16	15,00	13,33	12,00	11,43	10,91	10,67	10,00	9,70	9,60	9,41	9,23	8,89	8,73	8,57
17	15,94	14,17	12,75	12,14	11,59	11,33	10,63	10,30	10,20	10,00	9,81	9,44	9,27	9,11
18	16,88	15,00	13,50	12,86	12,27	12,00	11,25	10,91	10,80	10,59	10,39	10,00	9,82	9,64
19	17,82	15,83	14,25	13,57	12,96	12,67	11,88	11,52	11,40	11,18	10,96	10,56	10,37	10,18
20	18,75	16,67	15,00	14,29	13,64	13,33	12,50	12,12	12,00	11,76	11,54	11,11	10,91	10,72
21	19,69	17,50	15,75	15,00	14,32	14,00	13,13	12,73	12,60	12,35	12,12	11,67	11,46	11,25
22	20,63	18,33	16,50	15,71	15,00	14,67	13,75	13,33	13,20	12,94	12,69	12,22	12,00	11,79
23	21,57	19,17	17,25	16,43	15,68	15,33	14,38	13,94	13,80	13,53	13,27	12,78	12,55	12,32
24	22,50	20,00	18,00	17,14	16,37	16,00	15,00	14,55	14,40	14,12	13,85	13,33	13,09	12,86
25	23,44	20,83	18,75	17,86	17,05	16,67	15,63	15,15	15,00	14,71	14,43	13,89	13,64	13,39

CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.