TEAMGROUP T-Create Master Overclocking 64GB (4 x 16GB) DDR5 6800MHz R-DIMM

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TEAMGROUP T-Create Master Overclocking 64GB (4 x 16GB) DDR5 6800MHz R-DIMM CTCMD564G6800HC34BQC01

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  • TEAMGROUP T-Create Master Overclocking (PC5-54400) CL34 Hynix A-DIE Workstation Memory Module Ram Black - CTCMD564G6800HC34BQC01 CAS Latency: 34 Timing: CL34-44-44-84 Voltage: 1.40V Multi-channel Kit: Quad Channel Kit Part Number: CTCMD564G6800HC34BQC01

Scheda tecnica

Modello CTCMD564G6800HC34BQC01
Tipo 288-pin DDR5 DIMM
Frequenza DDR5-6800 MHz
Dimensioni 64GB (4 x 16GB)
Latenza CAS 34
Timing 34-44-44-84
Latenza First Word 10 ns
Voltaggio 1,4 V
Dissipatore
Supporto ECC

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

5000 5200 5600 6000 6200 6400 6600 6800 7000 7200 7400 7600 7800 8000
34 13,60 13,08 12,14 11,33 10,97 10,63 10,30 10,00 9,71 9,44 9,19 8,95 8,72 8,50
35 14,00 13,46 12,50 11,67 11,29 10,94 10,61 10,29 10,00 9,72 9,46 9,21 8,97 8,75
36 14,40 13,85 12,86 12,00 11,61 11,25 10,91 10,59 10,29 10,00 9,73 9,47 9,23 9,00
37 14,80 14,23 13,21 12,33 11,94 11,56 11,21 10,88 10,57 10,28 10,00 9,74 9,49 9,25
38 15,20 14,62 13,57 12,67 12,26 11,88 11,52 11,18 10,86 10,56 10,27 10,00 9,74 9,50
39 15,60 15,00 13,93 13,00 12,58 12,19 11,82 11,47 11,14 10,83 10,54 10,26 10,00 9,75
40 16,00 15,38 14,29 13,33 12,90 12,50 12,12 11,76 11,43 11,11 10,81 10,53 10,26 10,00
41 16,40 15,77 14,64 13,67 13,23 12,81 12,42 12,06 11,71 11,39 11,08 10,79 10,51 10,25
42 16,80 16,15 15,00 14,00 13,55 13,13 12,73 12,35 12,00 11,67 11,35 11,05 10,77 10,50
43 17,20 16,54 15,36 14,33 13,87 13,44 13,03 12,65 12,29 11,94 11,62 11,32 11,03 10,75
44 17,60 16,92 15,71 14,67 14,19 13,75 13,33 12,94 12,57 12,22 11,89 11,58 11,28 11,00
45 18,00 17,31 16,07 15,00 14,52 14,06 13,64 13,24 12,86 12,50 12,16 11,84 11,54 11,25
46 18,40 17,69 16,43 15,33 14,84 14,38 13,94 13,53 13,14 12,78 12,43 12,11 11,79 11,50
47 18,80 18,08 16,79 15,67 15,16 14,69 14,24 13,82 13,43 13,06 12,70 12,37 12,05 11,75
48 19,20 18,46 17,14 16,00 15,48 15,00 14,55 14,12 13,71 13,33 12,97 12,63 12,31 12,00
49 19,60 18,85 17,50 16,33 15,81 15,31 14,85 14,41 14,00 13,61 13,24 12,89 12,56 12,25
50 20,00 19,23 17,86 16,67 16,13 15,63 15,15 14,71 14,29 13,89 13,51 13,16 12,82 12,50
51 20,40 19,62 18,21 17,00 16,45 15,94 15,45 15,00 14,57 14,17 13,78 13,42 13,08 12,75
52 20,80 20,00 18,57 17,33 16,77 16,25 15,76 15,29 14,86 14,44 14,05 13,68 13,33 13,00
CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.

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