V-COLOR 96GB (4x24GB) DDR5 8000MHz OC R-DIMM

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V-COLOR 96GB (4x24GB) DDR5 8000MHz OC R-DIMM CL40 3Gx8 1Rx8 1.4V AMD EXPO TRA524G80S840R3Q

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  • Compatible with AMD TRX50 Workstation Motherboards. Overclocking E.X.P.O Profile Product Specification- Memory Type: DDR5 OC R-DIMM (Overlocking ECC Registered DIMM) Chip: Hynix IC Pin: 288 Pin Memory Capacity: 96GB (24GBx4) Speed: 8000MHz (PC5-64000) Latency: CL40 IC Configuration: 3Gx8 Rank: 1Rx8

Scheda tecnica

Modello TRA524G80S840R3Q
Tipo 288-pin DDR5 DIMM
Frequenza DDR5-8000 MHz
Dimensioni 96GB (4 x 24GB)
Latenza CAS 40
Timing 40-52-52-126
Latenza First Word 10 ns
Voltaggio 1,4 V
Dissipatore
Supporto ECC

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

6600 6800 7000 7200 7400 7600 7800 8000 8200 8400 8800 9000 9600
32 9,70 9,41 9,14 8,89 8,65 8,42 8,21 8,00 7,80 7,62 7,27 7,11 6,67
33 10,00 9,71 9,43 9,17 8,92 8,68 8,46 8,25 8,05 7,86 7,50 7,33 6,88
34 10,30 10,00 9,71 9,44 9,19 8,95 8,72 8,50 8,29 8,10 7,73 7,56 7,08
35 10,61 10,29 10,00 9,72 9,46 9,21 8,97 8,75 8,54 8,33 7,95 7,78 7,29
36 10,91 10,59 10,29 10,00 9,73 9,47 9,23 9,00 8,78 8,57 8,18 8,00 7,50
37 11,21 10,88 10,57 10,28 10,00 9,74 9,49 9,25 9,02 8,81 8,41 8,22 7,71
38 11,52 11,18 10,86 10,56 10,27 10,00 9,74 9,50 9,27 9,05 8,64 8,44 7,92
39 11,82 11,47 11,14 10,83 10,54 10,26 10,00 9,75 9,51 9,29 8,86 8,67 8,13
40 12,12 11,76 11,43 11,11 10,81 10,53 10,26 10,00 9,76 9,52 9,09 8,89 8,33
41 12,42 12,06 11,71 11,39 11,08 10,79 10,51 10,25 10,00 9,76 9,32 9,11 8,54
42 12,73 12,35 12,00 11,67 11,35 11,05 10,77 10,50 10,24 10,00 9,55 9,33 8,75
43 13,03 12,65 12,29 11,94 11,62 11,32 11,03 10,75 10,49 10,24 9,77 9,56 8,96
44 13,33 12,94 12,57 12,22 11,89 11,58 11,28 11,00 10,73 10,48 10,00 9,78 9,17
45 13,64 13,24 12,86 12,50 12,16 11,84 11,54 11,25 10,98 10,71 10,23 10,00 9,38
46 13,94 13,53 13,14 12,78 12,43 12,11 11,79 11,50 11,22 10,95 10,45 10,22 9,58
47 14,24 13,82 13,43 13,06 12,70 12,37 12,05 11,75 11,46 11,19 10,68 10,44 9,79
48 14,55 14,12 13,71 13,33 12,97 12,63 12,31 12,00 11,71 11,43 10,91 10,67 10,00
49 14,85 14,41 14,00 13,61 13,24 12,89 12,56 12,25 11,95 11,67 11,14 10,89 10,21
50 15,15 14,71 14,29 13,89 13,51 13,16 12,82 12,50 12,20 11,90 11,36 11,11 10,42
51 15,45 15,00 14,57 14,17 13,78 13,42 13,08 12,75 12,44 12,14 11,59 11,33 10,63
52 15,76 15,29 14,86 14,44 14,05 13,68 13,33 13,00 12,68 12,38 11,82 11,56 10,83
CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Distribuzione delle latenze first word per moduli RAM simili

L'istogramma qui sotto mostra la distribuzione delle latenze first word (in nanosecondi) per tutti i moduli RAM dello stesso tipo DDR e frequenza presenti nel nostro database. Ogni barra rappresenta il numero di moduli che rientrano in un determinato intervallo di latenza. La barra evidenziata indica la latenza del modulo RAM attualmente selezionato.

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