Kingston 16GB SO-DIMM DDR4 3200MHZ

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Kingston 16GB SO-DIMM DDR4 3200MHZ CL22 KVR32S22S8/16

Kingston 16GB SO-DIMM DDR4 3200MHZ CL22 KVR32S22S8/16

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  • 16GB 3200MHZ DDR4 NONECC CL22 CAS Latency: 22 Timing: 22-22-22 Voltage: 1.20V Features: Power Supply: VDD = 1.2V Typical VDDQ = 1.2V Typical VPP = 2.5V Typical VDDSPD = 2.2V to 3.6V Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals Low-power auto self refresh (LPASR) Data bus inversion (DBI) for data bus On-die VREFDQ generation and calibration Single-rank On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS) Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) Fly-by topology Terminated control command and address bus PCB: Height 1.18' (30.00mm) RoHS Compliant and Halogen-Free

Scheda tecnica

Modello KVR32S22S8/16
Disponibile da Aprile 2022

* Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.

Tipo 260-pin DDR4 SODIMM
Frequenza DDR4-3200 MHz
Dimensioni 16GB (1 x 16GB)
Latenza CAS 22
Timing 22-22-22
Latenza First Word 13,75 ns
Voltaggio 1,2 V
Dissipatore No
Supporto ECC No

Tabella latenza RAM First Word (nanosecondi)

La latenza si misura in nanosecondi ed è una combinazione di frequenza e CAS. Sia l'aumento della frequenza che la diminuzione della latenza comportano migliori prestazioni del sistema (a parità di latenza, preferire sempre una frequenza più alta, se possibile).

Frequenza (MT/s)

2133 2400 2666 2800 2933 3000 3200 3300 3333 3400 3466 3600 3666 3733
13 12,19 10,83 9,75 9,29 8,86 8,67 8,13 7,88 7,80 7,65 7,50 7,22 7,09 6,96
14 13,13 11,67 10,50 10,00 9,55 9,33 8,75 8,48 8,40 8,24 8,08 7,78 7,64 7,50
15 14,06 12,50 11,25 10,71 10,23 10,00 9,38 9,09 9,00 8,82 8,66 8,33 8,18 8,04
16 15,00 13,33 12,00 11,43 10,91 10,67 10,00 9,70 9,60 9,41 9,23 8,89 8,73 8,57
17 15,94 14,17 12,75 12,14 11,59 11,33 10,63 10,30 10,20 10,00 9,81 9,44 9,27 9,11
18 16,88 15,00 13,50 12,86 12,27 12,00 11,25 10,91 10,80 10,59 10,39 10,00 9,82 9,64
19 17,82 15,83 14,25 13,57 12,96 12,67 11,88 11,52 11,40 11,18 10,96 10,56 10,37 10,18
20 18,75 16,67 15,00 14,29 13,64 13,33 12,50 12,12 12,00 11,76 11,54 11,11 10,91 10,72
21 19,69 17,50 15,75 15,00 14,32 14,00 13,13 12,73 12,60 12,35 12,12 11,67 11,46 11,25
22 20,63 18,33 16,50 15,71 15,00 14,67 13,75 13,33 13,20 12,94 12,69 12,22 12,00 11,79
23 21,57 19,17 17,25 16,43 15,68 15,33 14,38 13,94 13,80 13,53 13,27 12,78 12,55 12,32
24 22,50 20,00 18,00 17,14 16,37 16,00 15,00 14,55 14,40 14,12 13,85 13,33 13,09 12,86
25 23,44 20,83 18,75 17,86 17,05 16,67 15,63 15,15 15,00 14,71 14,43 13,89 13,64 13,39
CAS (clock cycles) Latenze più basse corrispondono a memorie più veloci.

Alternative più economiche con prestazioni migliori o uguali

Stessa latenza

-0,25ns Latenza

-1,25ns Latenza


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