Samsung 850 EVO 120GB

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Samsung 850 EVO 120GB 2.5" SATA3 MZ-75E120B/AM

Samsung 850 EVO 120GB 2.5" SATA3 MZ-75E120B/AM

★★★★★
(149 recensioni)
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  • Samsung disco a stato solido 850 EVO con tecnologia 3D V-NAND
  • Fattore di forma 2,5 Pollici, ideale sia per computer portatili che fissi
  • Interfaccia SATA 6 Gb/s, compatibile con SATA 3 Gb/s e SATA 1,5 Gb/s
  • Velocità di Lettura Sequenziale fino a 540 MB/sec e velocità di scrittura sequenziale fino a 520 MB/sec
  • Lettura casuale fino a 94000 IOPS e scrittura casuale fino a 88000 IOPS

Scheda tecnica

Modello
  • MZ-75E120B/AM
  • MZ-75E120B/EU
  • MZ-75E120BW/EU
  • MZ-75E120BW
Disponibile da Dicembre 2014

* Prima data di disponibilità per l'acquisto, potrebbe non necessariamente corrispondere a quando il prodotto è stato lanciato sul mercato.

Serie 850 EVO
Capacità 120 GB
Interfaccia SATA 6 Gb/s
NVME No
Formato 2.5"
Controller SSD Samsung MGX
Tipo NAND Flash 32 layer 3D V-NAND
Cache Samsung 256MB Low Power DDR3 SDRAM
Velocità massima lettura sequenziale Fino a 540 MB/s
Velocità massima scrittura sequenziale Fino a 520 MB/s
MTBF 2,000,000 ore

Pro

  • Controller Samsung MGX
  • 3D V-NAND
  • Prezzo competitivo
  • Ottime prestazioni

Contro

Samsung 850 EVO 120GB Confronto delle prestazioni con SSD simili

(Più alto è meglio)

Pangoly Logo

Samsung 850 EVO 120GB Performance

Sequential read/write speed, Random 4K read/write speed


Vedi classifica ►

Descrizione

Usage Application Client PCs
Capacity 120GB, 250GB, 500GB, 1TB(1,000GB)
Dimension (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)
Interface SATA 6Gb/s (compatible with SATA 3Gb/s and SATA 1.5Gb/s)
Form factor 2.5 inch
Controller 120/250/500GB : Samsung MGX controller
1TB: Samsung MEX controller
NAND Flash Memory Samsung 32 layer 3D V-NAND
DRAM Cache Memory 256MB (120GB) or 512MB(250GB&500GB) or 1GB (1TB) LPDDR2
Performance* Sequential Read Max. 540 MB/s
Sequential Write** Max. 520 MB/s
4KB Random Read (QD1) Max. 10,000 IOPS
4KB Random Write (QD1) Max. 40,000 IOPS
4KB Random Read (QD32) Max. 98,000 IOPS(500GB/1TB)
Max. 97,000 IOPS(250GB)
Max. 94,000 IOPS(120GB)
4KB Random Write (QD32) Max. 90,000 IOPS(500GB/1TB)
Max. 88,000 IOPS(120GB/250GB)
Data Security AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE)
TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)
Weight Max. 66g (1TB)
Reliability MTBF: 1.5 million hours
TBW 120/250GB: 75TBW
500GB/1TB: 150 TBW
Power Consumption*** Active Read/Write (Average): Max. 3.7W(1TB) / Max. 4.4W(1TB)
Idle: Max. 50mW
Device Sleep: 2mW(120/250/500GB), 4mW(1TB)
Supporting features TRIM(Required OS support), Garbage Collection, S.M.A.R.T.
Temperature Operating: 0°C to 70°C
Non-Operating: -40°C to 85°C
Humidity 5% to 95%, non-condensing
Vibration Non-Operating: 20~2000Hz, 20G
Shock Non-Operating: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis
Warranty 5 Years Limited More Information >>
  • *    Sequential performance measurements based on CrystalDiskMark v.3.0.1. Random performance measurements based on Iometer 2010. Performance may vary based on SSD’s firmware version, system hardware & configuration. Test system configuration : Intel Core i7-4790K @ 4.0GHz, DDR3 1600MHz 8GB, OS – Windows7 Ultimate x64 SP1, IRST 13.0.3.1001, Chipset : Intel® Z97
  • **   Sequential Write performance measurements based on TurboWrite technology, The sequential write performances after TurboWrite region are 150MB/s(120GB), 300MB/s(250GB), 500MB/s(500GB) and 520MB/s(1TB).
  • *** Power consumption measured with IOmeter 1.1.0 with Intel i7-4770K, DDR3 8GB, Intel®DH87RL OS- Windows7 Ultimate x64 SP1


Recensioni tecniche

100

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80

Today's biggest-capacity consumer SSD, the 4TB version of the venerable 850 EVO packs the same speed and delivers the same strengths as Samsung's earlier models, but the price is quite dear. Read...

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